传三星/SK海力士/美光将停止生产DDR4/DDR3 转向利润更高的DDR5/HBM内存
山外的鸭子哥
#科技资讯 消息称三星电子、SK 海力士和美光将在 2025 年停止生产 DDR4/DDR3 内存芯片，全面转向利润更高的 DDR5 和 HBM 高带宽内存芯片。这种转变可能会打断当前 DDR4/DDR3 产品价格稳步下降的局面，产能减少后这些产品价格可能会上涨，或者逼迫用户购买价格更高的 DDR5 内存。查看全文：https://ourl.co/107984
DRAM 行业目前似乎正在进行着重大变革，有消息人士称随着主要内存制造商几乎完全将重点转向高性能芯片后，成熟的 DRAM 解决方案的产能可能会逐渐减少。
涉及的制造商包括三星电子、SK 海力士和美光，这些韩国制造商将在可预见的未来将重点转向利润更高的 DDR5 和 HBM 高带宽内存产品。
停止生产 DDR4/DDR3 等内存可能会对下游市场和终端用户产生重大影响，当成熟产品缩小供应时价格会上涨，如果 OEM 和用户采用 DDR5 内存那同样需要付出更高的价格。
本质上说这算是人为介入的市场炒作，对三星电子这类闪存芯片制造商来说，适用于服务器尤其是人工智能相关的 HBM 高带宽内存产品需求量更高、利润率也更高。
三星电子、SK 海力士和美光提供的闪存芯片占据着大部分市场，这些调整势必会对价格产生影响，不过其他制造商可能会在 2025 年年底填补这些空白。
南亚科技表示，定价策略需要适应不断变化的市场条件。DRAM 市场预计将在 2025 年上半年继续萎缩，但需求还在增长，因此可能很快就会恢复正常。
在 DDR5 内存问世后，DDR4 和 DDR3 这类成熟产品的价格正在稳步下降中，但韩国这些制造商将重点转向 DDR5 和 HBM 内存后可能会推动 DDR4、DDR3 内存价格上涨，inSpectrum 的分析师称尽管 DDR5 内存需求疲软但其价格仍然在上涨中。
华邦电子的计划是在 2025 年下半年过渡到新的 16nm 工艺用于生产 8Gb DDR 芯片，现阶段华邦电子使用的 20nm 工艺主要用于生产 DDR3 和 DDR4 中的 4Gb DDR 芯片。
